硅基芯片特性
2023-08-09 分类：百科
TIPS：本文共有 136 个字，阅读大概需要 1 分钟。
硅基半导体芯片遵循摩尔定律的预测，芯片性能每隔 18-24 个月便会提升一倍。
但随着芯片尺寸不断缩小，特别是工艺水平进入 5 纳米级以后，硅芯片发展开始面临更加突出的短沟道效应、强场效应、薄氧化层的隧穿效应和功率耗散增加等一系列材料、工艺、技术、器件和系统方面的物理限制。
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硅基半导体芯片遵循摩尔定律的预测，芯片性能每隔 18-24 个月便会提升一倍。
但随着芯片尺寸不断缩小，特别是工艺水平进入 5 纳米级以后，硅芯片发展开始面临更加突出的短沟道效应、强场效应、薄氧化层的隧穿效应和功率耗散增加等一系列材料、工艺、技术、器件和系统方面的物理限制。
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