半导体材料禁带如何测
2023-07-05 分类：百科
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测量半导体材料禁带宽度的方法是采用 HT - 648型变温霍尔效应实验仪，其中 200 mT固定磁场由励磁电源提供。
测量中样品恒流选用1mA以避免电流过大使样品发热， 电流过小则检测信号太弱。样品恒流换向和磁场换向由计算机控制自动完成。
测量时先把样品放入液氮罐内降温至液氮温区，然后迅速提出并放置在样品槽内，测量过程中当样品升温至室温附近时打开样品加热电流，使得样品温度在 77～400K连续变化，实现变温测量。
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